SiLM27512器件是（shì）单通道高速低边门极驱（qū）动器，可有效（xiào）驱动（dòng）MOSFET和IGBT等功率（lǜ）开（kāi）关。SiLM27512采用一种能够（gòu）从内（nèi）部极（jí）大（dà）的降低直通电流的设计（jì），将（jiāng）高峰值的源电流和灌（guàn）电流脉冲提供给电容负（fù）载，以实现轨到轨的驱动能力和典（diǎn）型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延（yán）迟（chí）。
SiLM27512在12V的VDD供电情况下（xià），能够提（tí）供4A的（de）峰（fēng）值源电流和5A的峰值灌电（diàn）流。
低成本的（de）门极驱动方案可用于替代（dài） NPN和 PNP 分离（lí）器件方案
4A 的峰值源（yuán）电流和5A的峰值灌电（diàn）流能力
快（kuài）速（sù）的传输延时（典型值为（wéi） 18ns）
快速的上升（shēng）和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电（diàn）源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻（luó）辑电压阈值
双输入设（shè）计(可选择反（fǎn）相或非反相驱动配（pèi）置)
输（shū）入浮空时输（shū）出保持（chí）为低
工作（zuò）温（wēn）度范围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选（xuǎn）项
400 080 9938
